ヨシカワ タカシ   YOSHIKAWA Takashi
  吉川 隆士
   所属   ノートルダム清心女子大学  情報デザイン学部 情報デザイン学科
   職種   教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 1992/05
形態種別 研究論文(学術雑誌)
査読 査読あり
標題 Smooth and Vertical InP Reactive Ion Beam Ething with Cl2 ECR Plasma (Letter)
塩素ガスを用いたInPのム平滑垂直反応性イオンビームエッチング(査読付)
執筆形態 共著
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics (JJAP-part2) Letters, Vol.31, No.5B, pp.L655-L657
掲載区分国内
概要 (筆頭)塩素によるInPのドライエッチングの表面荒れ問題を高温(230℃) 、高イオンエネルギー(~1keV)でエッチングすることで、再付着、並びにInとPの脱離の差を減らし垂直平滑(凹凸≒100nm)エッチングを実現した。
3頁
共著者:T. Yoshikawa, S. Kohmoto, M. Ozaki, N. Hamao, Y. Sugimoto, M. Sugimoto, and K. Asakawa
本人担当部分:アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施