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ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 1994/07 |
| 形態種別 | 研究論文（学術雑誌） |
| 標題 | Time-resolved Invesigations of Sidewall Recombination and In-plane Diffusivity in Dry-etched InGaAs/GaAs Air-post Structutres (Letter)
ドライエッチング花王されたInGaAs/GaAsの側面非発光再結合の時分解測定（査読付） |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Applied Physics Letters (APL), Vol.65, No.4, pp.481-483 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | RIBEドライエッチングにより加工されたInGaAs/GaAs極微細ポスト型構造におけるキャリア寿命を時分解PLにより調べ、拡散モデルから側面非発光再結合速度Sおよびキャリアの面内拡散係数Dを同時に求めた。RIBE加工側面のSが未結合手の存在や酸化などのⅢ-Ⅴ族半導体表面固有の原因により決定されていることを明らかにした。
3頁 共著者：Y. Nambu, H. Yokoyama, T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, and K. Asakawa 本人担当部分：実験の一部を担当し共著者間で技術的な議論を実施 |