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ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 1994/08 |
| 形態種別 | 研究論文（学術雑誌） |
| 標題 | （招待投稿）： Cl2-ECR Plasma Etching of III/V Semiconductors and Its Application to Photonic Devices
III/V族化合物半導体のECRプラズマエッチングとその光デバイス応用（査読付） |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Electronics & Communications in Japan, Vol. 77, No.8, pp.24-34 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | 筆頭）日本語で出された通信関係の論文から選択して英文化して出版を行う雑誌への信学英文誌の依頼による招待投稿（8．の英文化）：InP/InGaAsP長波レーザ、GaInP/AlGaInP可視レーザ、InGaAs/GaAs面発光レーザの作製を通して、RIBEの平滑性、制御性、均一性、微細性を調べた。InPエッチングの平滑性は1.4nmと良好で、PBH-LDEウェットと同等の特性を得た。AlGaInPエッチングの制御性はσ=22nmと良好で面内均一性も2インチウェハーで2.3%と優れており、レーザの閾値も均一性が良好であった。
11頁 共著者：T. Yoshikawa, S. Kohmoto, and K. Asakawa 本人担当部分：アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施 |