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ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 1995/06 |
| 形態種別 | 研究論文（学術雑誌） |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Smooth Etching of Various Ⅲ/Ⅴ and Ⅱ/Ⅵ Semiconductors by Rarefied Cl2 Reactive Ion Beam Etching
種々のIII/V族、ならびにII/VI族化合物半導体の塩素反応性イオンビームエッチング（査読付） |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Journal of Vacuum Science & Technology, Vol.14, No.3, pp.1764-1772 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | （筆頭）たった一つの条件でGaAs、InP等のⅢ/Ⅴ族、及び、ZnSe、ZnTe等のⅡ/Ⅵ族化合物半導体の平滑エッチングを実現した。さらに、LD、PDの実際のデバイス作製を行ったところ、良好な特性が得られ、このエッチングの実用性が確認された。
9頁 共著者：T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, Y. Sakata, T. Takeuchi, M. Hayashi, H. Hotta, S. Kohmoto, and K. Asakawa 本人担当部分：アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施 |