|
ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 1993/02 |
| 形態種別 | 研究論文（学術雑誌） |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Smooth Vertical Etching of AlGaInP by Cl2 Reactive Ion Beam Etching (Letter)
AlGaInPの平滑垂直反応性イオンビームエッチング（査読付） |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Electronics Letters, Vol.29, No.2, pp.190-191 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | （筆頭）可視レーザ基板であるAlGaInPの平滑垂直エッチングを、構成原素であるAlの酸化をエッング室の残留水分を十分低減することで抑え、かつ、高温、低ガス圧、高イオンエネルギー条件でInの脱離を促進して達成した。
2頁 共著者：T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, H. Yoshii, H. Kawano, S. Kohmoto, and K. Asakawa 本人担当部分：アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施 |