ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
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言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 1998/02 |
形態種別 | 研究論文(学術雑誌) |
査読 | 査読あり |
標題 | (招待投稿) Chlorine-Based Dry Etching of III/V Compound Semiconductors for Optoelectronic Application
塩素ベースのIII/V族化合物半導体のドライエッチングとその光素子応用(査読付) |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics (JJAP Part 1) Vol. 37, No. 2, pp. 373-387 |
掲載区分 | 国内 |
概要 | 主著者らが長年行った塩素ガスを用いたAlGaAS,InPなどのIII/V族半導体微細加工とその半導体レーザ端面加工、当時、最小閾値を記録した微小共振器レーザ等について述べた。
15頁 共著者:K. Asakawa, T. Yoshikawa, S. Kohmoto, Y. Nanbu, and Y. Sugimoto 本人担当部分:実験の一部を担当し共著者間で技術的な議論を実施。論文で用いる図面や文章の一部を提供。 |