ヨシカワ タカシ   YOSHIKAWA Takashi
  吉川 隆士
   所属   ノートルダム清心女子大学  情報デザイン学部 情報デザイン学科
   職種   教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 1998/02
形態種別 研究論文(学術雑誌)
査読 査読あり
標題 (招待投稿) Chlorine-Based Dry Etching of III/V Compound Semiconductors for Optoelectronic Application
塩素ベースのIII/V族化合物半導体のドライエッチングとその光素子応用(査読付)
執筆形態 共著
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics (JJAP Part 1) Vol. 37, No. 2, pp. 373-387
掲載区分国内
概要 主著者らが長年行った塩素ガスを用いたAlGaAS,InPなどのIII/V族半導体微細加工とその半導体レーザ端面加工、当時、最小閾値を記録した微小共振器レーザ等について述べた。
15頁
共著者:K. Asakawa, T. Yoshikawa, S. Kohmoto, Y. Nanbu, and Y. Sugimoto
本人担当部分:実験の一部を担当し共著者間で技術的な議論を実施。論文で用いる図面や文章の一部を提供。