|
ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 1998/05 |
| 形態種別 | 研究論文（学術雑誌） |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Self-stopping Selective-oxidation Process of AlAs (Letter)
AlAsの自律停止酸化プロセス（査読付） |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Applied Physics Letters (APL), Vol.72, No.18, pp.2310-2312 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | （筆頭）AlAs酸化による電流狭窄層を有するVCSELは超低閾値、高効率という優れた特性を有する。その酸化アパーチャ径は3ミクロン程度であるが、酸化プロセスは均一性、再現性とも乏しい。そこで、ウェハ内でマスクMBEによりあるパタンのAlAS層厚を15nm以下にすると、そこで酸化が停止するセルフストッププロセスを提案し、実験で確認した。
3頁 共著者：T. Yoshikawa, H. Saito, H. Kosaka, Y. Sugimoto, and K. Kasahara 本人担当部分：アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施 |