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ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 1993/03 |
| 形態種別 | 研究論文（学術雑誌） |
| 標題 | Dry Etching Process for GaAs and InP Devices
GaAsならびにInPデバイスのドライエッチング |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | NEC Research & Development (NEC R&D), Vol.33, No.3, pp.469-480 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 概要 | Cl2-RIBEによりInP並びにInAlAs/InGaAs、InAlGaPというInとAlを含む化合物半導体のドライエッチングを実現。又、ECRプラズマ酸化膜をマスクにしたin-situ EBパターニング方法を開発した。
12頁 共著者：Y. Sugimoto, T. Yoshikawa, N. Takado, S. Kohmoto, N. Hamao, M. Anan, M. Sugimoto, K. Asakawa 本人担当部分：実験の一部を担当し共著者間で技術的な議論を実施 |