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ヨシカワ タカシ
YOSHIKAWA Takashi
吉川 隆士 所属 ノートルダム清心女子大学 情報デザイン学部 情報デザイン学科 職種 教授 |
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| 発表年月日 | 1992/07 |
| 発表テーマ | Chlorine-based Smooth Reactive Ion Beam Etching of In-containing Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductors III-V族半導体の塩素系平滑反応性イオンビームエッチング |
| 会議名 | International MicroProcess Conference (Kawasaki, Japan) |
| 学会区分 | 国際学会 |
| 概要 | （筆頭）InPの塩素RIBEにおいて、高イオンエネルギーを用いることで、平滑(凹凸≦100nm)垂直エッチングを実現した。垂直性が極めて良好で、幅0.35μm、高さ6μmのアスペクトレシオ17というストライプ加工を実現。また、垂直性は多少劣る(82゜)が、平滑性の優れたエッチングを実現した。底面の凹凸は数nmで、プロセス前の基板と同程度であった。また、InとAlを含むInAlAs、AlGaInPの平滑垂直エッチングも実現した。ガス圧が低いためサイドエッチが抑制され、InAlAs/InGaAs/InPの多層構造を側面の段差なしにエッチングできた。
共著者：T. Yoshikawa, S. Kohmoto, M. Ozaki, N. Hamao, M. Baba, N. Takado, Y. Sugimoto, M. Sugimoto, and K. Asakawa 本人担当部分：アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施 |