ヨシカワ タカシ   YOSHIKAWA Takashi
  吉川 隆士
   所属   ノートルダム清心女子大学  情報デザイン学部 情報デザイン学科
   職種   教授
発表年月日 1994/08
発表テーマ 650nm-AlGaInP Visible Light LD with Etched Mesas tripe ドライエッチングで形成したメサ構造をもつ650nm波長可視半導体レーザ
会議名 Int Conf on Solid State Devices & Materials (SSDM), (Yokohama, Japan)
学会区分 国際学会
概要 (筆頭)可視LDのメサ加工をドライエッチングで行うと均一性、制御性が良好であるとともに、off基板でも面方位に依存しない加工が可能である利点がある。我々はこれまでCl2-RIBE(Reactive Ion Beam Etching)を用いて、クラッド材料であるAlGaInPの平滑垂直エッチングを実現し、ドライメサ加工による670nm波長AlGaInP可視LDを作製した。今回エッチングプロセスの最適化を行い、650nm波長LDを試作し室温CW発振を実現するとともに、Ith=47mA、Sd=0.42とウェット作製素子と同等の初期特性が得られた。また信頼性試験で1500時間を確認した。
共著者:T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, H. Hotta, K. Kobayashi, F. Miyasaka, and K. Asakawa
本人担当部分:アイデア創出、実験、評価、論文全文執筆を共著者との議論を交えつつ実施